磷化铟基高速数模转换芯片研发及中试产业化项目

项目建设内容

1.本项目为研究开发类项目，不涉及新增用地与土建工程，依托公司现有场地实施(建筑面积4,910.85平方米)。主要建设内容包括:先进封装与微组装中试线扩建(5,000万元)，涵盖倒装焊、植球、RDI再布线与 TSV 硅通孔工艺工程化开发，形成面向高速数模混合芯片的系统级封装(SiP)能力;②高频测试与可靠性实验室建设(3,500万元)，配置110GHz级矢量网络分析仪、高速采样示波器、高速误码与波形测试设备、高频探针台及 自动测试设备(ATE)，同步建设高温工作寿命(HTOL)、温度循环、湿度偏置等可靠性试验条件;③直接研发支出(3,000万元)，含多轮工程流片(覆盖0.5微米至70纳米节点)、配套掩膜制作、EDA设计工具与工艺设计套件(PDK)建设。产品为20GSps/12比特高速ADC与30GSps高速DAC芯片及系统级封装模块。2.项目建设周期为：2026年8月至2028年7月。达产后预计年产量约144片高速ADC/DAC芯片及模块。

项目历史及最新情况